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首页 全部分类 FDMS030N06B vs IPB120N06S403ATMA2

FDMS030N06B备选型号: IPB120N06S403ATMA2

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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 通道数量
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS030N06B
    ON Semiconductor
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 8-Pin Power 56 ON Semiconductor FDMS030N06B
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    22.1A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    104W
    DRAIN
    39 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 50A, 10V
    4.5V @ 250μA
    7560pF @ 30V
    75nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    16 ns
    100A
    MO-240AA
    20V
    22.1A
    0.003Ohm
    60V
    400A
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB120N06S403ATMA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.946308g
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    40 ns
    N-Channel
    -
    3.2m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 120μA
    13150pF @ 25V
    160nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    15 ns
    120A
    -
    20V
    -
    0.0028Ohm
    -
    480A
    4.4mm
    10mm
    9.25mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1
    60V
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