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首页 全部分类 FDMS2734 vs FDS2670

FDMS2734备选型号: FDS2670

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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • ON Semiconductor
    FDMS2734
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    210mg
    SILICON
    2.8A Ta 14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    2011
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    122MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    250V
    DUAL
    14A
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    122m Ω @ 2.8A, 10V
    4V @ 250μA
    2365pF @ 100V
    42nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    12 ns
    2.8A
    20V
    250V
    30A
    750μm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS2670
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    130MOhm
    Tin (Sn)
    200V
    DUAL
    3A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 250μA
    1228pF @ 100V
    43nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    25 ns
    3A
    20V
    200V
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    鸥翼
    未说明
    未说明
    不合格
    3A
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