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首页 全部分类 FDMS3006SDC vs IRF8301MTRPBF

FDMS3006SDC备选型号: IRF8301MTRPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS3006SDC
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    90mg
    SILICON
    3.3W Ta 89W Tc
    Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.9m Ω @ 30A, 10V
    3V @ 1mA
    5725pF @ 15V
    80nC @ 10V
    5.9ns
    ±20V
    3.5 ns
    34A
    MO-240AA
    20V
    49A
    30V
    200A
    5.85mm
    5.1mm
    1.05mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8301MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
    -
    DirectFET™ Isometric MT
    表面贴装
    表面贴装
    7
    -
    SILICON
    34A Ta 192A Tc
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    R-XBCC-N3
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6140pF @ 15V
    77nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    34A
    -
    20V
    -
    30V
    250A
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    2013
    超低电阻
    BOTTOM
    1
    1.7V
    260 mJ
    无SVHC
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