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首页 全部分类 FDMS3600S vs FDMS3602S

FDMS3600S备选型号: FDMS3602S

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  • 场效应管技术
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS3600S
    ON Semiconductor
    DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 25V, 40A, POWER56 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8
    171mg
    2
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    1W
    QUAD
    R-PQFP-N7
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    SWITCHING
    5.3ns
    25V
    N-CHANNEL
    3.9 ns
    30A
    20V
    15A
    25V
    1.68nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.6mOhm
    5.6 mΩ
    1.8 V
    90 pF
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS3602S
    ON Semiconductor
    DUAL N CH MOSFET, 25V, 40A, POWER56 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    8
    90mg
    15A 26A
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    1W
    -
    R-PDSO-N6
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    SWITCHING
    4.2ns
    -
    -
    3.2 ns
    26A
    20V
    15A
    25V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    1.8 V
    -
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    2006
    5.6MOhm
    2 N-Channel (Dual)
    5.6m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    1680pF @ 13V
    27nC @ 10V
    40A
    50 mJ
    逻辑电平门
    无铅
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