FDMS3600S
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ON Semiconductor FDMS3600S

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型号

FDMS3600S

utmel 编号

1807-FDMS3600S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 25V, 40A, POWER56 - More Details

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FDMS3600S
FDMS3600S ON Semiconductor DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 25V, 40A, POWER56 - More Details

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FDMS3600S详情

ON Semiconductor FDMS3600S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    8

  • 质量

    171mg

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    38 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    7

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1W

  • 端子位置

    QUAD

  • JESD-30代码

    R-PQFP-N7

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2.5W

  • 箱体转运

    排水源头

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    5.3ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    3.9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    30A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    15A

  • 漏源击穿电压

    25V

  • 输入电容

    1.68nF

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    1.6mOhm

  • 最大rds

    5.6 mΩ

  • 栅源电压

    1.8 V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    90 pF

  • 高度

    1.05mm

  • 长度

    5mm

  • 宽度

    6mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDMS3600S相似的参数规格。

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FDMS3600S拓展信息

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