ON Semiconductor FDMS3600S
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FDMS3600S
1807-FDMS3600S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 25V, 40A, POWER56 - More Details
--最小包装量--
FDMS3600S详情
ON Semiconductor FDMS3600S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
171mg
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
38 ns
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
7
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1W
端子位置
QUAD
JESD-30代码
R-PQFP-N7
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
箱体转运
排水源头
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
5.3ns
漏源电压 (Vdss)
25V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
3.9 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
15A
漏源击穿电压
25V
输入电容
1.68nF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
1.6mOhm
最大rds
5.6 mΩ
栅源电压
1.8 V
反馈上限-最大值 (Crss)
90 pF
高度
1.05mm
长度
5mm
宽度
6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS3600S拓展信息








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