FDMS3610S备选型号: FDMS3624S
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFETACTIVE (Last Updated: 3 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8171mgSILICON17.5A 30A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)1W无铅未说明not_compliant未说明R-PDSO-N62Dual增强型MOSFET排水源头11 ns2 N-Channel (Dual) AsymmetricalSWITCHING5m Ω @ 17.5A, 10V2V @ 250μA1570pF @ 13V26nC @ 10V5ns4 ns30A12V17.5A0.005Ohm25VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant------------
- MOSFET 25V PowerTrench Power StageACTIVE (Last Updated: 3 days ago)18 Weeks表面贴装--890mg-2-Tape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)1W----R-PDSO-N6-Dual增强型MOSFET排水源头7 ns-SWITCHING------30A12V17.5A-25VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-ROHS3 Compliant150°C-55°C2.5W25VN-CHANNEL1.57nF5mOhm5 mΩ1.05mm5.1mm6.1mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS3620S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench | 对比 | |
| FDMS3622S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerTDFN | MOSFET PowerStage 25V Dual N-Channel MOSFET | 对比 |


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