ON Semiconductor FDMS3610S
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FDMS3610S详情
ON Semiconductor FDMS3610S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
171mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17.5A 30A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
39 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-N6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
排水源头
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5m Ω @ 17.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1570pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
5ns
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
17.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.005Ohm
漏源击穿电压
25V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS3610S拓展信息









哦! 它是空的。