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首页 全部分类 FDMS3620S vs FDMS3610S

FDMS3620S备选型号: FDMS3610S

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • ON Semiconductor
    FDMS3620S
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    17.5A 38A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    FDMS3620S
    R-PDSO-N6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 17.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1570pF @ 13V
    26nC @ 10V
    38A
    12V
    17.5A
    0.0047Ohm
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.05mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS3610S
    ON Semiconductor
    MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    171mg
    SILICON
    17.5A 30A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    -
    R-PDSO-N6
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    排水源头
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    5m Ω @ 17.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1570pF @ 13V
    26nC @ 10V
    30A
    12V
    17.5A
    0.005Ohm
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    11 ns
    5ns
    4 ns
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