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首页 全部分类 FDMS3624S vs FDMS3626S

FDMS3624S备选型号: FDMS3626S

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS3624S
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V PowerTrench Power Stage
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8
    90mg
    2
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    1W
    R-PDSO-N6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    7 ns
    SWITCHING
    25V
    N-CHANNEL
    30A
    12V
    17.5A
    25V
    1.57nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5mOhm
    5 mΩ
    1.05mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS3626S
    ON Semiconductor
    MOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    8
    90mg
    17.5A 25A
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    1W
    R-PDSO-N6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    7 ns
    SWITCHING
    -
    -
    25A
    12V
    17.5A
    25V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    1.05mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5m Ω @ 17.5A, 10V
    2V @ 250μA
    1570pF @ 13V
    26nC @ 10V
    0.005Ohm
    逻辑电平门
    无铅
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