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首页 全部分类 FDMS3662 vs BSF134N10NJ3GXUMA1

FDMS3662备选型号: BSF134N10NJ3GXUMA1

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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    FDMS3662
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    8.9A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    14.8MOhm
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14.8m Ω @ 8.9A, 10V
    4.5V @ 250μA
    4620pF @ 50V
    75nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    6 ns
    8.9A
    3.5V
    20V
    49A
    100V
    90A
    3.5 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSF134N10NJ3GXUMA1
    Infineon Technologies
    N-KANAL POWER MOS
    -
    26 Weeks
    Silver
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDSON
    7
    -
    SILICON
    9A Ta 40A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    -
    BOTTOM
    无铅
    R-MBCC-N2
    -
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    13.4m Ω @ 30A, 10V
    3.5V @ 40μA
    2300pF @ 50V
    30nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    -
    9A
    2.7V
    20V
    9A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2011
    未说明
    未说明
    2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
  • 添加型号
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