Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-WDSON

触点镀层

Silver

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 78W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 100μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta 83A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.6m Ω @ 30A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5500pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

74nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9A

阈值电压

2.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.0056Ohm

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅