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首页 全部分类 FDMS3672 vs IRF7853TRPBF

FDMS3672备选型号: IRF7853TRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端形式
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS3672
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin MLP EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    7.4A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    23MOhm
    100V
    DUAL
    22A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    22A
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 7.4A, 10V
    4V @ 250μA
    2680pF @ 50V
    44nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    8 ns
    7.4A
    20V
    100V
    750μm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7853TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    18MOhm
    -
    DUAL
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 8.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1640pF @ 25V
    39nC @ 10V
    6.6ns
    ±20V
    6 ns
    8.3A
    20V
    100V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2006
    鸥翼
    66A
    Unknown
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