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首页 全部分类 FDMS7560S vs IRF8301MTRPBF

FDMS7560S备选型号: IRF8301MTRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDMS7560S
    ON Semiconductor
    MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER 56 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    30A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.45m Ω @ 30A, 10V
    3V @ 1mA
    5945pF @ 13V
    93nC @ 10V
    7.4ns
    ±20V
    4.8 ns
    30A
    1.7V
    MO-240AA
    20V
    25V
    220 mJ
    1.7 V
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8301MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    7
    -
    SILICON
    34A Ta 192A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    BOTTOM
    -
    R-XBCC-N3
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6140pF @ 15V
    77nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    34A
    1.7V
    -
    20V
    30V
    260 mJ
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2013
    超低电阻
    1
    250A
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