FDMS7658AS备选型号: IPD050N03LGATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)18 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON29A Ta 70A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET89WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING1.9m Ω @ 28A, 10V3V @ 1mA7350pF @ 15V109nC @ 10V8ns±20V5 ns49A1.7VMO-240AA20V29A30V1.7 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
- Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252-18 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET68WDRAIN6.7 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA3200pF @ 15V31nC @ 10V13ns±20V3.8 ns50A-TO-252AA20V-30V-2.41mm6.73mm6.22mm无SVHC-ROHS3 Compliant含铅2008AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE未说明not_compliant未说明4不合格无卤素30V60 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| FDMS8025S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V POWER56 | 对比 |



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