FDMS7670备选型号: FDS6699S
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 双电源电压
- MOSFET N-CH 30V 21A POWER56ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON21A Ta 42A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR993.8MOhmTin (Sn)DUALR-PDSO-N5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING3.8m Ω @ 21A, 10V3V @ 250μA4105pF @ 15V56nC @ 10V6ns±20V5 ns21A1.9VMO-240AA16V30V1.9 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8130mgSILICON21A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™2005e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR993.6MOhm-DUAL-Single增强型MOSFET2.5mW-11 nsN-ChannelSWITCHING3.6m Ω @ 21A, 10V3V @ 1mA3610pF @ 15V91nC @ 10V12ns±20V38 ns21A1.4V-20V30V1.4 V1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅TinSMD/SMT30V鸥翼21A30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7660 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 30/20V Nch Power Trench | 对比 | |
![]() | FDMC7664 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench | 对比 |
![]() | IRF8788PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | 对比 |




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