Infineon Technologies IRF8788PBF

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.8MOhm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5720pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

66nC @ 4.5V

上升时间

24ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

24A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

恢复时间

36 ns

栅源电压

1.8 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅