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首页 全部分类 FDMS8018 vs IRF8301MTRPBF

FDMS8018备选型号: IRF8301MTRPBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS8018
    ON Semiconductor
    Single N-Channel 30 V 2.5 W 61 nC PowerTrench Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    30A Ta 120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    260
    30
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 30A, 10V
    3V @ 250μA
    5235pF @ 15V
    61nC @ 10V
    7.3ns
    ±20V
    4.8 ns
    30A
    MO-240AA
    20V
    30V
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8301MTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MT
    7
    -
    SILICON
    34A Ta 192A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    BOTTOM
    -
    -
    -
    R-XBCC-N3
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 32A, 10V
    2.35V @ 150μA
    6140pF @ 15V
    77nC @ 4.5V
    30ns
    ±20V
    17 ns
    34A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    超低电阻
    1
    1.7V
    250A
    260 mJ
    无SVHC
    无铅
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