FDMS8025S备选型号: IRFHM8329TRPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 配置
- MOSFET N-CH 30V POWER56ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON24A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™2010e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR992.8MOhmTin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET50WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING2.8m Ω @ 24A, 10V3V @ 1mA3000pF @ 15V47nC @ 10V4.5ns±20V3.7 ns49A1.7VMO-240AA20V24A30V100A66 mJ1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-
- MOSFET N-CH 30V 16A PQFN-39 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-SILICON16A Ta 57A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2013--不用于新设计1 (Unlimited)5EAR99--DUALFLATS-PDSO-F5-增强型MOSFET2.6WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING6.1m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 25μA1710pF @ 10V26nC @ 10V74ns±20V14 ns16A1.7V-20V-30V230A43 mJ---无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | 对比 |



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