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首页 全部分类 FDMS8320L vs AUIRFR3504Z

FDMS8320L备选型号: AUIRFR3504Z

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS8320L
    ON Semiconductor
    MOSFET 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    36A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    104W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.1m Ω @ 32A, 10V
    3V @ 250μA
    11110pF @ 20V
    170nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    17 ns
    36A
    MO-240AA
    20V
    40V
    264 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFR3504Z
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
    -
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2
    -
    SILICON
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 42A, 10V
    4V @ 250μA
    1510pF @ 25V
    45nC @ 10V
    74ns
    ±20V
    38 ns
    42A
    -
    20V
    40V
    77 mJ
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    260
    30
    2V
    0.009Ohm
    无SVHC
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