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首页 全部分类 FDMS8350L vs AUIRFS8409-7P

FDMS8350L备选型号: AUIRFS8409-7P

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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS8350L
    ON Semiconductor
    MOSFET CCI MV
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    SILICON
    47A Ta 200A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    29 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.85m Ω @ 47A, 10V
    3V @ 250μA
    17500pF @ 20V
    242nC @ 10V
    22ns
    40V
    ±20V
    18 ns
    200A
    MO-240AA
    20V
    47A
    300A
    40V
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS8409-7P
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    7
    -
    -
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    Single
    -
    -
    32 ns
    N-Channel
    -
    0.75m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    13975pF @ 25V
    460nC @ 10V
    148ns
    -
    ±20V
    107 ns
    240A
    -
    20V
    -
    -
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    ROHS3 Compliant
    IRFS8409
    375W
    3V
    40V
    3 V
    无SVHC
    无
    无铅
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