ON Semiconductor FDMS8350L
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FDMS8350L
1807-FDMS8350L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET CCI MV
--最小包装量--
FDMS8350L详情
ON Semiconductor FDMS8350L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
56.5mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
47A Ta 200A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.7W Ta 113W Tc
Turn Off Delay Time
83 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-N5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
29 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
0.85m Ω @ 47A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
17500pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
242nC @ 10V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
18 ns
连续放电电流(ID)
200A
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
47A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
300A
DS 击穿电压-最小值
40V
高度
1.05mm
长度
5.1mm
宽度
6.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS8350L拓展信息
ON Semiconductor
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