FDMS8558S备选型号: FDMS8560S
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFETLIFETIME (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装8-PowerTDFN890mgSILICON33A Ta 90A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™2006e3yes最后一次购买1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)超低电阻DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING1.5m Ω @ 33A, 10V2.2V @ 1mA5118pF @ 13V81nC @ 10V8ns±12V7 ns38AMO-240AA12V90A25V1.05mm5.1mm5.85mm无ROHS3 Compliant无铅-
- MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFETLIFETIME (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装8-PowerTDFN890mgSILICON30A Ta 70A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™-e3yes最后一次购买1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)超低电阻DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING1.8m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 1mA4350pF @ 13V68nC @ 10V6ns±12V5 ns35AMO-240AA12V70A25V1.05mm5.1mm5.85mm无ROHS3 Compliant无铅79 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH4210DTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN | 对比 |
| FDMS8560S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET | 对比 | |
| FDMS7570S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 | 对比 |



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