FDMS8558S备选型号: IRFH4210DTRPBF

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    33A Ta 90A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2006
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 33A, 10V
    2.2V @ 1mA
    5118pF @ 13V
    81nC @ 10V
    8ns
    ±12V
    7 ns
    38A
    MO-240AA
    12V
    90A
    25V
    1.05mm
    5.1mm
    5.85mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    -
    -
    44A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    HEXFET®
    2013
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    3.5W
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    1.1m Ω @ 50A, 10V
    2.1V @ 100μA
    4812pF @ 13V
    77nC @ 10V
    45ns
    ±20V
    16 ns
    44A
    -
    20V
    -
    -
    900μm
    6mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.1MOhm
    25V
    1.6V
    无SVHC
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