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首页 全部分类 FDMS8570S vs IRF6201TRPBF

FDMS8570S备选型号: IRF6201TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FDMS8570S
    ON Semiconductor
    MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    24A Ta 60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    3.3W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    2.2V @ 1mA
    2825pF @ 13V
    425nC @ 10V
    4ns
    ±12V
    3 ns
    28A
    MO-240AA
    12V
    60A
    25V
    45 mJ
    1.05mm
    5.1mm
    5.85mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6201TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    27A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    29 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.45m Ω @ 27A, 4.5V
    1.1V @ 100μA
    8555pF @ 16V
    195nC @ 4.5V
    100ns
    ±12V
    265 ns
    27A
    -
    12V
    -
    20V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    15 Weeks
    2009
    0.00245Ohm
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