Infineon Technologies BSC0911NDATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

25 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A 30A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

系列

OptiMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1W

JESD-30代码

R-PDSO-N6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

排水源头

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.2m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

上升时间

5.4ns

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 4.5V Drive

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅