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FDMS86201备选型号: STB35NF10T4
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 双电源电压
MOSFET N-CH 120V POWER56ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)15 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON11.6A Ta 35A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR9914.5MOhmTin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET104WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING11.5m Ω @ 11.6A, 10V4V @ 250μA2735pF @ 60V46nC @ 10V7.7ns±20V7.1 ns35A2.6VMO-240AA20V65A120V264 mJ2.6 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ II-e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99-Matte Tin (Sn)-鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET115WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 17.5A, 10V4V @ 250μA1550pF @ 25V55nC @ 10V60ns±20V15 ns40A3V-20V-100V-3 V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT100V24540A30STB35N3100V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB35NF10T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK | 对比 |
| FDMS86200 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R | 对比 |
 | FDMC86160 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | ON SEMICONDUCTOR - FDMC86160 - MOSFET Transistor, N Channel, 43 A, 100 V, 0.0112 ohm, 10 V, 2.9 V | 对比 |
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