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首页 全部分类 FDMS86250 vs BSC190N12NS3GATMA1

FDMS86250备选型号: BSC190N12NS3GATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMS86250
    ON Semiconductor
    MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    6.7A Ta 20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    96W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 6.7A, 10V
    4V @ 250μA
    2330pF @ 75V
    36nC @ 10V
    4.3ns
    ±20V
    4.2 ns
    6.7A
    MO-240AA
    20V
    20A
    0.025Ohm
    150V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC190N12NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    8.6A Ta 44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19m Ω @ 39A, 10V
    4V @ 42μA
    2300pF @ 60V
    34nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    4 ns
    8.6A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    120V
    60 mJ
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP 对比