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首页 全部分类 FDMS86255 vs IRFH5015TRPBF

FDMS86255备选型号: IRFH5015TRPBF

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 配置
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86255
    ON Semiconductor
    PT5 150V/20V Nch PowerTrench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, VARIATION AA, 5.
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    SILICON
    10A Ta 45A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12.4m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    4480pF @ 75V
    63nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    12 ns
    10A
    MO-240AA
    20V
    45A
    150V
    150°C
    1.1mm
    5.1mm
    6.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5015TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    10A Ta 56A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    -
    260
    -
    30
    R-PDSO-N5
    1
    -
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    9.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    31m Ω @ 34A, 10V
    5V @ 150μA
    2300pF @ 50V
    50nC @ 10V
    9.7ns
    ±20V
    3.4 ns
    56A
    -
    20V
    -
    150V
    150°C
    900μm
    6.1468mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    5V
    220A
    230 mJ
    无SVHC
    无
    无铅
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