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首页 全部分类 FDMS86255ET150 vs FDB2532

FDMS86255ET150备选型号: FDB2532

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  • 场效应管类型
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMS86255ET150
    ON Semiconductor
    N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150V, 63A, 12.4mO
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    56.5mg
    SILICON
    10A Ta 63A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12.4m Ω @ 10A, 10V
    4480pF @ 75V
    63nC @ 10V
    4.5ns
    150V
    ±20V
    6.2 ns
    63A
    MO-240AA
    20V
    276A
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB2532
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    4.535924g
    SILICON
    8A Ta 79A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 33A, 10V
    5870pF @ 25V
    107nC @ 10V
    30ns
    -
    ±20V
    17 ns
    79A
    -
    20V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2002
    SMD/SMT
    16MOhm
    150V
    79A
    150V
    79A
    310W
    4V
    150V
    150V
    400 mJ
    4 V
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无
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