FDMS86300DC备选型号: FDB070AN06A0
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 双电源电压
- MOSFET 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)5 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN890mgSILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Dual Cool™, PowerTrench®2010yes活跃1 (Unlimited)5EAR99超低电阻FLATR-PDSO-F51Single增强型MOSFET3.2WDRAIN29 nsN-ChannelSWITCHING3.1m Ω @ 24A, 10V4.5V @ 250μA7005pF @ 40V101nC @ 10V25ns±20V9 ns24A2.5VMO-240AA20V60A80V260A240 mJ150°C3.3 V5.1mm1.05mm5.85mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-263ABACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON15A Ta 80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET175WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 25V66nC @ 10V159ns±20V35 ns80A4V-20V-60V---4 V10.67mm4.83mm11.33mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅e3SMD/SMT7MOhmTin (Sn)60V80A60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK | 对比 |
![]() | IPB054N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
![]() | IPB067N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |




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