ON Semiconductor FDMS86300DC

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

90mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.2W Ta 125W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

8V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Ta 76A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Dual Cool™, PowerTrench®

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

29 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.1m Ω @ 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7005pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

101nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

24A

阈值电压

2.5V

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60A

漏源击穿电压

80V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260A

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

3.3 V

长度

5.1mm

高度

1.05mm

宽度

5.85mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅