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首页 全部分类 FDMS86320 vs BSC123N08NS3GATMA1

FDMS86320备选型号: BSC123N08NS3GATMA1

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  • 宽度
  • RoHS状态
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  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86320
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    74mg
    SILICON
    10.5A Ta 22A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 10.5A, 10V
    2640pF @ 40V
    41nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    5 ns
    10.5A
    MO-240AA
    20V
    22A
    80V
    50A
    60 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC123N08NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    2.5W Ta 66W Tc
    3.5V @ 33μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    66W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12.3m Ω @ 33A, 10V
    1870pF @ 40V
    25nC @ 10V
    18ns
    ±20V
    4 ns
    11A
    -
    20V
    55A
    -
    220A
    70 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    2011
    Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    80V
    含铅
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