FDMS86520备选型号: FDD5614P
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 电流
- 阈值电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET13 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON14A Ta 42A Tc4.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2010e3yesACTIVE (Last Updated: 3 days ago)1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F51Single增强型MOSFET69WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING7.4m Ω @ 14A, 10V2850pF @ 30V40nC @ 10V6.7ns±20V4 ns42AMO-240AA20V0.0074Ohm60V150°C1.1mm5.1mm6.25mm无ROHS3 Compliant-------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDD5614P - P CHANNEL MOSFET, 60V, 15A, TO-2528 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6334.535924gSILICON19 ns3V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2005e3yesACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFET42WDRAIN7 nsP-ChannelSWITCHING100m Ω @ 4.5A, 10V759pF @ 30V24nC @ 10V10ns±20V12 ns-15A-20V--60V175°C2.39mm6.73mm6.6mm无ROHS3 CompliantTinSMD/SMT100MOhm-60V-15A60V15A-1.6V-60V90 mJ-1.6 V无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RFD12N06RLESM9A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 60V Single | 对比 |
![]() | NTB18N06T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | 对比 |




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