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FDMS86520备选型号: RFD12N06RLESM9A
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- 晶体管元件材料
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- 操作温度
- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 触点镀层
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET13 WeeksACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8-PowerTDFN表面贴装表面贴装868.1mgSILICON20 ns2010PowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F51Single增强型MOSFET69WDRAIN17 nsN-ChannelSWITCHING7.4m Ω @ 14A, 10V4.5V @ 250μA2850pF @ 30V40nC @ 10V6.7ns±20V4 ns42AMO-240AA20V0.0074Ohm60V150°C6.25mm5.1mm1.1mmROHS3 Compliant无-------
MOSFET 60V Single8 WeeksACTIVE (Last Updated: 1 day ago)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3260.37mgSILICON18A Tc2002UltraFET™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99--鸥翼R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET49WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING63m Ω @ 18A, 10V3V @ 250μA485pF @ 25V15nC @ 10V34ns±16V50 ns17mATO-252AA16V-60V-6.22mm6.73mm2.39mmROHS3 Compliant无Tin71MOhm60V17A3VUnknown无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RFD12N06RLESM9A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 60V Single | 对比 |
 | NTB18N06T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | 对比 |
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