您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMS86540 vs BSC067N06LS3GATMA1

FDMS86540备选型号: BSC067N06LS3GATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS86540
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    20A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    6435pF @ 30V
    90nC @ 10V
    16ns
    ±20V
    7.2 ns
    20A
    MO-240AA
    20V
    50A
    0.0034Ohm
    60V
    350A
    1.05mm
    5mm
    5.75mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC067N06LS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    15A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.7m Ω @ 50A, 10V
    2.2V @ 35μA
    5100pF @ 30V
    67nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    7 ns
    15A
    -
    20V
    -
    0.0067Ohm
    -
    200A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2011
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    60V
    47 mJ
    含铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDMS86500L FDMS86500L ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 对比
BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin TDSON EP T/R 对比
BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3GATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON 对比