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FDMS8662备选型号: RS1E350BNTB
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- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
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- 晶体管元件材料
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 30V 28A POWER56表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mg28A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009Obsolete1 (Unlimited)2MOhm未说明未说明Single2.5WN-Channel2m Ω @ 28A, 10V3V @ 250μA6420pF @ 15V100nC @ 10V10ns±20V7 ns28A20V30V符合RoHS标准无铅----------------
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-35A Ta150°C TJCut Tape (CT)-2015活跃1 (Unlimited)-未说明未说明--N-Channel1.7m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 1mA7900pF @ 15V185nC @ 10V-±20V-35A--ROHS3 Compliant-10 WeeksSILICON5EAR99DUALFLATnot_compliantR-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING30V0.0025Ohm140A30V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7656AS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET | 对比 |
 | IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MT | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT | 对比 |
| RS1E350BNTB | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP | 对比 |
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