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首页 全部分类 FDMS8880 vs BSC079N03LSCGATMA1

FDMS8880备选型号: BSC079N03LSCGATMA1

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS8880
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    68.1mg
    SILICON
    13.5A Ta 21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.5m Ω @ 13.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1585pF @ 15V
    33nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    4 ns
    13.5A
    MO-240AA
    20V
    30V
    60 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC079N03LSCGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-KANAL POWER MOS
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    SILICON
    14A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    R-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1600pF @ 15V
    19nC @ 10V
    2.4ns
    ±20V
    -
    14A
    -
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2004
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    FLAT
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    200A
    30V
    无铅
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