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首页 全部分类 FDMS8888 vs FDMS7680

FDMS8888备选型号: FDMS7680

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  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDMS8888
    ON Semiconductor
    MOSFET, N CH, 30V, 21A, POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    74mg
    SILICON
    13.5A Ta 21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 13.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1585pF @ 15V
    33nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    4 ns
    13.5A
    20V
    0.0095Ohm
    30V
    54 mJ
    1.9 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7680
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    56
    68.1mg
    SILICON
    14A Ta 28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.9m Ω @ 14A, 10V
    3V @ 250μA
    1850pF @ 15V
    28nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    3 ns
    14A
    20V
    0.0069Ohm
    30V
    29 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    MO-240AA
    53A
    80A
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