FDMS9600S备选型号: FDMC3020DC
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- JESD-30代码
- 接通延迟时间
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin MLP EP T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerWDFN89mgSILICON12A 16A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e4yes活跃1 (Unlimited)8EAR9913MOhm1WDual增强型MOSFET2.5WDRAIN2 N-Channel (Dual)SWITCHING8.5m Ω @ 12A, 10V3V @ 250μA1705pF @ 15V13nC @ 4.5V11ns32 ns16A20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门375 pF825μm5mm6mm无ROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET N-CH 30V 40A POWER33-8 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN832.13mgSILICON17A Ta 40A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Dual Cool™, PowerTrench®-e3yesACTIVE (Last Updated: 4 days ago)1 (Unlimited)5EAR99--Single增强型MOSFET3WDRAINN-ChannelSWITCHING6.25m Ω @ 12A, 10V-1385pF @ 15V23nC @ 10V3ns2 ns17A20V30V---950μm3.3mm3.3mm无ROHS3 Compliant-3V @ 250μAS-PDSO-N59 ns±20V1.9VMO-240BA40A0.00625Ohm60 mJ无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDML7610S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerWDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 12A/17A 8-Pin MLP EP T/R | 对比 |


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