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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.307874
10
¥11.6112
100
¥10.953961
500
¥10.333929
1000
¥9.748992
ON Semiconductor FDMC3020DC
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FDMC3020DC
1807-FDMC3020DC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMC3020DC详情
ON Semiconductor FDMC3020DC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
32.13mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A Ta 40A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta 50W Tc
Turn Off Delay Time
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Dual Cool™, PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.25m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1385pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
上升时间
3ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
17A
阈值电压
1.9V
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
40A
漏极-源极导通最大电阻
0.00625Ohm
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
60 mJ
高度
950μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC3020DC拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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