FDN352AP备选型号: NDS351AN
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- ON SEMICONDUCTOR - FDN352AP - MOSFET Transistor, P Channel, -1.3 A, -30 V, 0.18 ohm, -10 V, -2 VACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2005e3yes活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99180MOhm-30VDUAL鸥翼-1.3A130VSingle13A增强型MOSFET500mW4 nsP-ChannelSWITCHING180m Ω @ 1.3A, 10V2.5V @ 250μA150pF @ 15V1.9nC @ 4.5V15ns±25V15 ns-1.3A-2V25V-30V-30V150°C-2 V1.22mm2.92mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON1.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003e3yes活跃1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99160MOhm30VDUAL鸥翼1.2A1-Single-增强型MOSFET500mW3 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 1.4A, 10V3V @ 250μA145pF @ 15V1.8nC @ 4.5V8ns±20V8 ns1.2A2.1V20V30V30V150°C2.1 V1.22mm-3.05mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅30mg逻辑电平兼容未说明未说明不合格
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 | 对比 |
![]() | NDS352AP | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3 | 对比 |
![]() | NDS351N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3 | 对比 |




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