ON Semiconductor NDS352AP

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

900mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

500mOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-900mA

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

135pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3nC @ 4.5V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

900mA

阈值电压

-800mV

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.9A

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-1.7 V

高度

1.22mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅