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首页 全部分类 FDN357N vs BSS306NH6327XTSA1

FDN357N备选型号: BSS306NH6327XTSA1

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  • 栅源电压
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  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    FDN357N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    30mg
    SILICON
    1.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    60MOhm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    鸥翼
    1.9A
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 2.2A, 10V
    2V @ 250μA
    235pF @ 10V
    5.9nC @ 5V
    12ns
    ±20V
    12 ns
    1.9A
    1.6V
    20V
    30V
    30V
    1.6 V
    30V
    940μm
    2.92mm
    3.05mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSS306NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
    -
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    SILICON
    2.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    500mW
    4.4 ns
    N-Channel
    -
    57m Ω @ 2.3A, 10V
    2V @ 11μA
    275pF @ 15V
    1.5nC @ 5V
    2.3ns
    ±20V
    -
    2.3A
    1.2V
    20V
    30V
    -
    -
    -
    1.1mm
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    PG-SOT23
    OptiMOS™
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    无卤素
    30V
    0.057Ohm
    150°C
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