Infineon Technologies BSS306NH6327XTSA1
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BSS306NH6327XTSA1
1211-BSS306NH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
BSS306NH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSS306NH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
PG-SOT23
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
8.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
4.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
57m Ω @ 2.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 11μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
275pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 5V
上升时间
2.3ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2.3A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.057Ohm
漏源击穿电压
30V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.1mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS306NH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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