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FDN359BN备选型号: IRLML2030TRPBF
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
N CHANNEL MOSFET, 30V, 2.7mA - More DetailsACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9946mOhmTin (Sn)30VDUAL鸥翼2.7ASingle增强型MOSFET500mW7 nsN-ChannelSWITCHING46m Ω @ 2.7A, 10V3V @ 250μA650pF @ 15V7nC @ 5V5ns±20V5 ns2.7mA20V30V1.8 V940μm2.92mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-SILICON2.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2003e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99100MOhmMatte Tin (Sn)-DUAL鸥翼-Single增强型MOSFET1.3W4.1 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 2.7A, 10V2.3V @ 25μA110pF @ 15V1nC @ 4.5V3.3ns±20V2.9 ns2.7A20V30V1.7 V1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅1.7V2.2A11A14 ns- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
| FDN372S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3 | 对比 |
| IRLML5203TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 | 对比 |
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