FDN360P备选型号: BSS306NH6327XTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 制造商包装标识符
- 引脚数量
- 配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mgSILICON2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2003e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9980MOhm逻辑电平兼容-30VDUAL鸥翼-2A1Single增强型MOSFET500mW6 nsP-ChannelSWITCHING80m Ω @ 2A, 10V3V @ 250μA298pF @ 15V9nC @ 10V13ns30V±20V6 ns2A20V20V2A-30V-30V150°C1.22mm2.92mm1.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R-10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-SILICON2.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE-DUAL鸥翼-1-增强型MOSFET500mW4.4 nsN-Channel-57m Ω @ 2.3A, 10V2V @ 11μA275pF @ 15V1.5nC @ 5V2.3ns-±20V-2.3A1.2V20V-30V-150°C1.1mm--无SVHC无ROHS3 Compliant无铅PG-SOT233SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素30V0.057Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDN358P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | 对比 |
![]() | NDS355AN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R | 对比 |
![]() | FDN357N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | 对比 |



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