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FDN361AN备选型号: IRLML9303TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-331.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2000Obsolete1 (Unlimited)30V1.8ASingle500mWN-Channel100m Ω @ 1.8A, 10V3V @ 250μA220pF @ 15V4nC @ 5V11ns±20V11 ns1.8A20V30V符合RoHS标准无铅----------------------
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-332.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2005活跃1 (Unlimited)--Single1.25WP-Channel165m Ω @ 2.3A, 10V2.4V @ 10μA160pF @ 25V2nC @ 4.5V14ns±20V8.6 ns-2.3A20V-30VROHS3 Compliant无铅12 WeeksSILICONe33EAR99165MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼增强型MOSFET7.5 nsSWITCHING30V-1.3V12A18 ns-1.3 V1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 | 对比 |
| NDS355N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3 | 对比 |
 | NTR4503NT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 | 对比 |
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