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首页 全部分类 FDN5630 vs IRLML0060TRPBF

FDN5630备选型号: IRLML0060TRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    FDN5630
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
    ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    100mOhm
    60V
    DUAL
    鸥翼
    1.7A
    1
    60V
    Single
    17A
    增强型MOSFET
    500mW
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.7A, 10V
    3V @ 250μA
    400pF @ 15V
    10nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    6 ns
    1.7A
    1V
    20V
    60V
    60V
    150°C
    2.4 V
    60V
    1.22mm
    2.92mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML0060TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    2.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    92MOhm
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    1
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    1.25W
    5.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    92m Ω @ 2.7A, 10V
    2.5V @ 25μA
    290pF @ 25V
    2.5nC @ 4.5V
    6.3ns
    ±16V
    4.2 ns
    2.7A
    2.5V
    16V
    60V
    -
    150°C
    2.5 V
    -
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn)
    260
    30
    不合格
    21 ns
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