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FDN86501LZ备选型号: DMN6075S-7
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 底架
- 安装类型
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 包装
- 系列
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 已出版
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
TAPE REEL / PT5 100/20V N P T MOSFET8 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装30mgSILICON1.5W Ta3V @ 250μATape & Reel (TR)PowerTrench®-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95DUAL鸥翼260未说明R-PDSO-G3Single增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING116m Ω @ 2.6A, 10V335pF @ 30V5.4nC @ 10V60V±20V2.6A0.116Ohm60V10 pFROHS3 Compliant--------
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-323 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装--2A Ta3V @ 250μATape & Reel (TR)--55°C~150°C TJe3-活跃1 (Unlimited)-EAR99Matte Tin (Sn)---26030---N-Channel-85m Ω @ 3.2A, 10V606pF @ 20V12.3nC @ 10V-±20V2A---ROHS3 Compliant20151800mW3.5 ns20V60V150°C1.1mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN6075S-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 | 对比 |
 | IRLML0060TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
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