您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDN86501LZ vs FDN5630

FDN86501LZ备选型号: FDN5630

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 底架
  • 安装类型
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 包装
  • 系列
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 电压
  • 电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDN86501LZ
    ON Semiconductor
    TAPE REEL / PT5 100/20V N P T MOSFET
    8 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    30mg
    SILICON
    1.5W Ta
    3V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    DUAL
    鸥翼
    260
    未说明
    R-PDSO-G3
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    116m Ω @ 2.6A, 10V
    335pF @ 30V
    5.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    2.6A
    0.116Ohm
    60V
    10 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN5630
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
    8 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    -
    SILICON
    1
    3V @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.7A, 10V
    400pF @ 15V
    10nC @ 10V
    -
    ±20V
    1.7A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    2000
    SMD/SMT
    100mOhm
    60V
    1.7A
    1
    60V
    17A
    500mW
    10 ns
    6ns
    6 ns
    1V
    20V
    60V
    60V
    150°C
    2.4 V
    60V
    2.92mm
    1.22mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN6075S-7 DMN6075S-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 对比
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 对比